本发明公开了一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，涉及硅转移测试方法技术领域，包括以下步骤：取两块硅胶保护膜样品的试样G1、G2；取塑料薄膜试样P1、P2、P3；揭去G1、G2上的保护层，将其分别贴附于P1和P2上，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1、GP2对应的静置时间分别记为T1、T2，T1≠T2；取胶带a、b、c；将P1从GP1上揭下，与a胶带贴附，静置，施加作用力F1使其分离；将P2从GP2上揭下，与b胶带贴附，静置，施加作用力F2使其分离；将胶带c贴附于P3上，静置，施加作用力F3

  (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114689500 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 8.4 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 太湖金张科技股份有限公司 地址 246400 安徽省安庆市太湖县经济开 发区观音路288号 (72)发明人 施克炜何运校张结勤鲁曼曼 王斌 (74)专利代理机构 合肥市长远专利代理事务所 (普通合伙) 34119 专利代理师 干桂花 (51)Int.Cl. G01N 19/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 (54)发明名称 一种硅胶保护膜的硅转移测试方法 (57)摘要 本发明公开了一种硅胶保护膜的硅转移测 试方法，涉及硅转移测试方法技术领域，包括以 下步骤：取两块硅胶保护膜样品的试样G1、G2；取 塑料薄膜试样P1、P2、P3；揭去G1、G2上的保护层， 将其分别贴附于P1和P2上，静置，分别标记为 GP1、GP2；其中，GP1、GP2对应的静置时间分别记 为T1、T2，T1≠T2；取胶带a、b、c；将P1从GP1上揭 下，与a胶带贴附，静置，施加作用力F1使其分离； 将P2从GP2上揭下，与b胶带贴附，静置，施加作用 力F2使其分离；将胶带c贴附于P3上，静置，施加 作用力F3使其分离；T1的硅转移率P1＝(1‑F1/ F3) ×100％，T2的硅转移率P2＝(1‑F2/F3) × A 100％，硅胶保护膜的硅转移率P＝(P1+P2)/2。本 0 发明方法简单、可一起进行多组重复性测试，测 0 5 9 试准确度高。 8 6 4 1 1 N C CN 114689500 A 权利要求书 1/1页 1.一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征是，包括以下步骤： S1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为G1、G2；其中，硅胶保护 膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成； S2、取塑料薄膜，裁取三块面积形状相等的试样，标记为P1、P2、P3； S3、揭去硅胶保护膜G1、G2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于P1和P2上，施加作用 力使其紧密贴合，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1的静置时间记为T1，GP2中的静置时 间记为T2，T1≠T2； S4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c； S5、将P1从静置后的GP1上揭下，揭下来的P1标记为P1，将a胶带贴附于P1揭除面上， 施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T3，从胶带a一端施加作用力使胶带与P1分 离，施加的作用力记作F1；按照同样的方法将P2从静置后的GP2上揭下，揭下来的P2标记为 P2，将b胶带贴附于P2揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T4，从胶 带b一端施加作用力使胶带与P2分离，施加的作用力记作F2； S6、将胶带c贴附于P3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T5，从胶带c一 端施加作用力使胶带与P3分离，施加的作用力记作F3；其中，T3＝T4＝T5； S7、设置范围并计算转移率P，其中静置时间T1的硅转移率P1＝(1‑F1/F3)×100％，静 置时间T2的硅转移率P2＝(1‑F2/F3)×100％，硅胶保护膜的硅转移率P＝(P1+P2)/2； 上述步骤S3、S5、S6中，紧密贴合施加的作用力相同。 2.依据权利要求1所述的硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征是，S7中，当P≤10％ 时，视为低硅转移；P10％时，视为高硅转移。 3.依据权利要求1所述的硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征是，S1中，基材层的 材质为包括BOPP、BOPET、BOPA、PET、PE、PC、TAC、PP、PS、PMMA、TPU、PI、PVB、PVC中的一种。 4.依据权利要求1所述的硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征是，S1中，保护层的 材质为包括BOPP、BOPET、BOPA、PET、PE、PC、TAC、PP、PS、PMMA、TPU、PI、PVB、PVC、非硅保护膜、 氟素离型膜中的一种。 5.依据权利要求1所述的硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征是，S1中，基材层的 厚度为10～360μm，硅胶压敏层厚度为10～1000μm，保护层厚度为10～360μm。 6.依据权利要求1所述的硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征是，S2中，塑料薄膜 的材质为包括PE、PET、CPP、PVC、OPP中的一种；优选地，PET薄膜的厚度为150～360μm。 7.根据权利要求1所述的硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征是，S2中，静置时间 T1为0.5～12h；优选地，静置时间T2为12～24h。 8.依据权利要求1所述的硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征是，S5中，静置时间 T3＝T4＝T5，为20～40min。 2 2 CN 114689500 A 说明书 1/4页 一种硅胶保护膜的硅转移测试方法 技术领域 [0001] 本发明涉及硅转移测试方法技术领域，尤其涉及一种硅胶保护膜的硅转移测试方 法。 背景技术 [0002] 硅胶压敏胶通常由硅橡胶、有机硅树脂、交联剂等成分组成。与其他三种传统压敏 胶相比，硅压敏胶具备优秀能力的耐化学性、耐水性、耐油性、耐溶剂性、耐高温性、耐低温性、耐 热性、抗氧化性、降解性等性能，可与未表面处理的聚烯烃(BOPP、PET、PE等)、氟塑料、聚酰 亚胺等多种非粘结材料粘接。 [0003] 硅胶保护膜是一款主要使用在于保护电子科技类产品的屏幕保护膜，由基材层、硅胶压敏 层和保护层组成。硅胶保护膜在后续转移工艺过程中容易在在离型层界面存在残留物，且 残留的含硅材料易造成硅污染，所以衍生了各种检测硅转移的测试方法。 [0004] 现如今测试硅转移的方法存在测试数据准确率低、重复性差的缺点，严重影响测 试效果。 发明内容 [0005] 基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种硅胶保护膜的硅转移测试方 法，该方法简单、可一起进行多组重复性测试，测试准确度高。 [0006] 本发明提出的一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤： [0007] S1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为G1、G2；其中，硅胶 保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成； [0008] S2、取塑料薄膜，裁取三块面积形状相等的试样，标记为P1、P2、P3； [0009] S3、揭去硅胶保护膜G1、G2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于P1和P2上，施加 作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1的静置时间记为T1，GP2中的静 置时间记为T2，T1≠T2； [0010] S4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c； [0011] S5、将P1从静置后的GP1上揭下，揭下来的P1标记为P1，将a胶带贴附于P1揭除面 上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T3，从胶带a一端施加作用力使胶带与 P1分离，施加的作用力记作F1；按照同样的方法将P2从静置后的GP2上揭下，揭下来的P2标 记为P2，将b胶带贴附于P2揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T4， 从胶带b一端施加作用力使胶带与P2分离，施加的作用力记作F2； [0012] S6、将胶带c贴附于P3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T5，从胶 带c一端施加作用力使胶带与P3分离，施加的作用力记作F3；其中，T3＝T4＝T5； [0013] S7、设置范围并计算转移率P，其中静置时间T1的硅转移率P1＝(1‑F1/F3)× 100％，静置时间T2的硅转移率P2＝(1‑F2/F3)×100％，硅胶保护膜的硅转移率P＝(P1+ P2)/2； 3 3 CN 114689500 A 说明书 2/4页 [0014] 上述步骤S3、S5、S6中，紧密贴合施加的作用力相同。 [0015] 优选地，S7中，当P≤10％时，视为低硅转移；P10％时，视为高硅转移。 [0016] 优选地，S1中，基材层的材质为包括BOPP、BOPET、BOPA、PET、PE、PC、TAC、PP、PS、 PMMA、TPU、PI、PVB、PVC中的一种。 [0017] 优选地，S1中，保护层的材质为包括BOPP、BOPET、BOPA、PET、PE、PC、TAC、PP、PS、 PMMA、TPU、PI、PVB、PVC、非硅保护膜、氟素离型膜中的一种。 [0018] 优选地，S1中，基材层的厚度为10～360μm，硅胶压敏层厚度为10～1000μm，保护层 厚度为10～360μm。 [0019] 优选地，S2中，塑料薄膜的材质为包括PE、PET、CPP、PVC、OPP中的一种；优选地，PET 薄膜的厚度为150～360μm。 [0020] 优选地，S2中，静置时间T1为0.5～12h；优选地，静置时间T2为12～24h。 [0021] 优选地，S5中，静置时间T3＝T4＝T5，为20～40min。 [0022] 有益效果：本发明提出了一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，方法简单、成本低， 可以一起进行多组重复性测试，从而测试结果误差小，准确值能大幅度提升，适用性范围 广，测试时间快。该测试方法安全、对人体无害、无危险性、无刺激性。 具体实施方式 [0023] 下面，通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。 [0024] 实施例1 [0025] 一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤： [0026] S1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为G1、G2；其中，硅胶 保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成，各层厚度依次为50μm、 200μm、50μm，基材层和保护层的材质都为PET； [0027] S2、取PET塑料薄膜，厚度为150μm，裁取三块面积形状相等的试样，标记为P1、P2、 P3； [0028] S3、揭去硅胶保护膜G1、G2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于P1和P2上，施加 4kg作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1的静置时间T1＝0.5h，GP2中 的静置时间记为T2＝24h； [0029] S4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c； [0030] S5、将P1从静置后的GP1上揭下，揭下来的P1标记为P1，将a胶带贴附于P1揭除面 上，施加4kg作用力其紧密贴合，静置，静置时间T3＝20min，从胶带a一端施加作用力使胶带 与P1分离，施加的作用力记作F1；按照同样的方法将P2从静置后的GP2上揭下，揭下来的P2 标记为P2，将b胶带贴附于P2揭去面上，施加4kg作用力使其紧密贴合，静置，静置时间T4 ＝20min，从胶带b一端施加作用力使胶带与P2分离，施加的作用力记作F2； [0031] S6、将胶带c贴附于P3上，施加4kg作用力使其紧密贴合，静置，静置时间T5＝ 20min，从胶带c一端施加作用力使胶带与P3分离，施加的作用力记作F3； [0032] S7、设置范围并计算转移率P，其中静置时间T1的硅转移率P1＝(1‑F1/F3)×100％ ＝(1‑883.835/889.01)×100％＝0.58％，静置时间T2的硅转移率P2＝(1‑F2/F3)×100％ ＝(1‑830.535/889.01)×100％＝6.58％，硅胶保护膜的硅转移率P＝(P1+P2)/2＝3.58％； 4 4 CN 114689500 A 说明书 3/4页 [0033] P10％，视为低硅转移。 [0034] 实施例2 [0035] 一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤： [0036] S1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为G1、G2；其中，硅胶 保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成，各层厚度依次为10μm、50 μm、10μm； [0037] S2、取PET塑料薄膜，厚度为200μm，裁取三块面积形状相等的试样，标记为P1、P2、 P3； [0038] S3、揭去硅胶保护膜G1、G2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于P1和P2上，施加 作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1的静置时间T1＝0.5h，GP2中的 静置时间记为T2＝12h； [0039] S4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c； [0040] S5、将P1从静置后的GP1上揭下，揭下来的P1标记为P1，将a胶带贴附于P1揭除面 上，施加作用力其紧密贴合，静置，静置时间T3＝30min，从胶带a一端施加作用力使胶带与 P1分离，施加的作用力记作F1；按照同样的方法将P2从静置后的GP2上揭下，揭下来的P2标 记为P2，将b胶带贴附于P2揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间T4＝ 30min，从胶带b一端施加作用力使胶带与P2分离，施加的作用力记作F2； [0041] S6、将胶带c贴附于P3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间T5＝30min，从 胶带c一端施加作用力使胶带与P3分离，施加的作用力记作F3； [0042] S7、设置范围并计算转移率P，其中静置时间T1的硅转移率P1＝(1‑F1/F3)× 100％，静置时间T2的硅转移率P2＝(1‑F2/F3)×100％，硅胶保护膜的硅转移率P＝(P1+ P2)/2； [0043] 上述步骤S3、S5、S6中，紧密贴合施加的作用力相同。 [0044] 当P≤10％时，视为低硅转移；P10％时，视为高硅转移。 [0045] 实施例3 [0046] 一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤： [0047] S1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为G1、G2；其中，硅胶 保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成，各层厚度依次为300μm、 1000μm、350μm； [0048] S2、取PET塑料薄膜，厚度为350μm，裁取三块面积形状相等的试样，标记为P1、P2、 P3； [0049] S3、揭去硅胶保护膜G1、G2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于P1和P2上，施加 作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1的静置时间T1＝1h，GP2中的静 置时间记为T2＝18h； [0050] S4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c； [0051] S5、将P1从静置后的GP1上揭下，揭下来的P1标记为P1，将a胶带贴附于P1揭除面 上，施加作用力其紧密贴合，静置，静置时间T3＝40min，从胶带a一端施加作用力使胶带与 P1分离，施加的作用力记作F1；按照同样的方法将P2从静置后的GP2上揭下，揭下来的P2标 记为P2，将b胶带贴附于P2揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间T4＝ 5 5 CN 114689500 A 说明书 4/4页 40min，从胶带b一端施加作用力使胶带与P2分离，施加的作用力记作F2； [0052] S6、将胶带c贴附于P3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间T5＝40min，从 胶带c一端施加作用力使胶带与P3分离，施加的作用力记作F3； [0053] S7、设置范围并计算转移率P，其中静置时间T1的硅转移率P1＝(1‑F1/F3)× 100％，静置时间T2的硅转移率P2＝(1‑F2/F3)×100％，硅胶保护膜的硅转移率P＝(P1+ P2)/2； [0054] 上述步骤S3、S5、S6中，紧密贴合施加的作用力相同。 [0055] 当P≤10％时，视为低硅转移；P10％时，视为高硅转移。 [0056] 以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其 发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围以内。 6 6

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